+7(347)2-518-598
 компьютерные                т е х н о л о г и и
Ваша корзина
пуста
Перейти в корзину

Micron может начать выпуск 16-нм оперативной памяти в конце 2016 года

23 Ноября 2015
Micron Technology, третий по величине в мире производитель компьютерной памяти, задержался с началом производства динамической памяти с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM) по технологии 20 нм. Это оказало негативный эффект на рентабельность компании и снизило её конкурентоспособность. Тем не менее, сегодня Micron успешно наращивает выпуск 20-нм и может начать использовать 16-нм технологию к концу следующего календарного года.

Micron Technology начала пробное производство DRAM по технологическом процессу 20 нм в четвёртом квартале 2014 года и начала коммерческие поставки соответствующей памяти в середине 2015. Главный конкурент, компания Samsung Electronics — крупнейший в мире производитель DRAM — начала массовое производство DRAM, используя процесс изготовления 20 нм в марте 2014 года, и сумела быстро увеличить производство, используя новую технологии. Использование тонкого техпроцесса снизило себестоимость памяти, что помогло Samsung несколько снизить энергопотребление памяти, предложить клиентам конкурентоспособные цены и в то же время остаться прибыльной. Как следствие, Micron оказалась не в лучшем положении в этом году. Однако, в случае со следующим поколением технологических процессов для изготовления DRAM очень многое может измениться.

Micron планирует закончить подготовку к производству компьютерной памяти по технологии 16 нм к концу текущего финансового года, который завершается в начале сентября. Таким образом, компания сможет начать массовое производство 16-нм DRAM уже в четвёртом квартале календарного 2016.

«Мы хотим подготовить производственные мощности [для изготовления 16-нм памяти] к концу финансового года», — сказал Эрни Мэддок (Ernin Maddock), финансовый директор и вице-президент Micron, на конференции UBS Global Technology Brokers Conference. «Как быстро мы начнём использование этой технологии будет зависеть от развития ситуации на рынке в указанный период времени. Таким образом, на основе всего, что мы видим сейчас, мы будем достаточно агрессивны в развертывании использования 16-нм технологии; примерно, как мы вели себя с 20-нм технологией».

Производственный процесс 16 нм является первой технологией, совместно разработанной инженерами Micron из США и Японии. Затраты на проектирование данного техпроцесса выше, чем расходы на создание технологий предыдущих поколений. В апреле этого года Micron заявила, что первые образцы 16-нм микросхем памяти начали производиться на бывшей фабрике Elpida около Хиросимы (Япония). Micron возлагает большие надежды на 16-нм нормы изготовления и надеется, что её технология будет более прогрессивной, чем у Samsung.

«Если вы посмотрите на некоторые из ранних образцов [10 нм класса чипов DRAM] Samsung, вы заметите, что архитектурные изменения, которые они внедрили, не обеспечивают снижения размера ядра или увеличения плотности записи, подобных тем, что мы видели при переходе с 30-нм на 25-нм техпроцесс», — сказал Марк Дюркан (Mark Durcan), исполнительный директор Micron, в ходе одной из недавних телеконференций с инвесторами и финансовыми аналитиками. «Мы вполне ожидаем, что закроем [технологический] разрыв с Samsung при переходе на 16 нм».

К сожалению, ни Micron, ни Samsung не раскрывают подробностей о своих техпроцессов класса 10 нм (ранее поколение этих технологий обозначается как 1X nm). Считается, что первый технологический процесс Samsung в данном классе будет иметь расстояние между идентичными элементами в массиве (т.н. half pitch) в 18 нм. Компания Micron планирует быть более агрессивной и намеревается освоить сразу технологию 16 нм. Более тонкий технологический процесс позволит Micron производить микросхемы меньшего размера, что особенно важно при переходе на DDR4, а также чипы ёмкостью 8 Гбит и выше.

Производители DRAM считают, что дальнейшее увеличение ёмкости микросхем памяти потребует перехода на структуру ячейки 4F² (со структуры 6F², которая используется сейчас). Подобное строение ячейки потребует использования новой архитектуры транзисторов, что означает дополнительные сложности для производителей памяти. Аналитики из TechInsights полагают, что переход на ячейки 4F² и новые типы транзисторов будут происходить одновременно с переходом на технологические процессы класса 10 нм.

Будут ли Micron и Samsung переходить на ячейки 4F² уже с первым поколением 10-нм технологий неизвестно, но, судя по всему, производители DRAM станут более агрессивными с внедрением новых норм производства памяти в ближайшие годы вследствие обострившейся конкуренции и необходимости снижать производственные расходы.

Источник:3dnews