20 октября 2015
SK Hynix опубликовала основные технические характеристики своих первых коммерческих многослойных микросхем 3D NAND флеш-памяти. Новые чипы смогут похвастаться увеличенной производительностью и износоустойчивостью по сравнению с обычными чипами NAND. 3D NAND-память разработки SK Hynix появится на рынке уже в этом квартале и будет использоваться для встраиваемых систем хранения данных.
Второе поколение 3D NAND флеш-памяти SK Hynix (первое поколение не производилось коммерчески, но использовалось для разработки контроллеров, прошивок и т. п.) представляет собой микросхемы ёмкостью 128 Гбит с 36 слоями чисел, неизвестным количеством вертикальных линий разрядов и двухбитовыми (multi-level cell, MLC) ячейками. SK Hynix не раскрывает подробностей об архитектуре своей трёхмерной NAND флеш-памяти, а также технологический процесс, используемый для её изготовления.
Единственное, что известно о 3D NAND разработки SK Hynix сейчас — это размер блока (erase block), наименьшую область NAND, которая может быть стёрта — 9 Мбайт. Контроллеры NAND отключают весь блок, если детектируют в них одну повреждённую ячейку. Типичный размер блоков у MLC памяти 2–4 Мбайт. Увеличение размеров блоков с одной стороны означает увеличение скорости случайной записи, но с другой — требует использования специальных NAND-контроллеров, которые «знают», как оптимально работать с большими блоками и сводить к минимуму количество циклов перезаписи/стирания. Косвенно увеличенный размер блока свидетельствует о том, что 3D NAND-память более износоустойчива, чем доступная сегодня 2D NAND-память, что логично, учитывая, что первая производится по технологическому процессу с шириной транзисторного затвора в 30–40 нм.
Согласно документу SK Hynix для партнёров, семейство 3D NAND второго поколения будет включать в себя пять микросхем разной компоновки и ёмкости. Так, в упаковке SK Hynix 3D NAND может содержаться одна, две, четыре, восемь или шестнадцать 128-Гбит микросхем.
Устройства памяти 3D NAND компании SK Hynix будут поставляться в FBGA форм-факторе со 152 контактами и не будут совместимы с обычной памятью MLC, которая поставляется в FBGA со 132 контактами. Новые чипы памяти будут использовать toggle 2.0 DDR интерфейс с максимальной скоростью передачи данных в 400 Мбит/с.
Согласно документу SK Hynix для партнёров, семейство 3D NAND второго поколения будет включать в себя пять микросхем разной компоновки и ёмкости. Так, в упаковке SK Hynix 3D NAND может содержаться одна, две, четыре, восемь или шестнадцать 128-Гбит микросхем.
Устройства памяти 3D NAND компании SK Hynix будут поставляться в FBGA форм-факторе со 152 контактами и не будут совместимы с обычной памятью MLC, которая поставляется в FBGA со 132 контактами. Новые чипы памяти будут использовать toggle 2.0 DDR интерфейс с максимальной скоростью передачи данных в 400 Мбит/с.
Параллельно с выводом на рынок 3D NAND второго поколения, в четвёртом квартале этого года SK Hynix начнёт поставлять образцы 48-слойных «трёхмерных» микросхем памяти с TLC ячейками ёмкостью 256 Гбит. Последняя выйдет на рынок в следующем году.
Источник: SK Hynix
Второе поколение 3D NAND флеш-памяти SK Hynix (первое поколение не производилось коммерчески, но использовалось для разработки контроллеров, прошивок и т. п.) представляет собой микросхемы ёмкостью 128 Гбит с 36 слоями чисел, неизвестным количеством вертикальных линий разрядов и двухбитовыми (multi-level cell, MLC) ячейками. SK Hynix не раскрывает подробностей об архитектуре своей трёхмерной NAND флеш-памяти, а также технологический процесс, используемый для её изготовления.
Единственное, что известно о 3D NAND разработки SK Hynix сейчас — это размер блока (erase block), наименьшую область NAND, которая может быть стёрта — 9 Мбайт. Контроллеры NAND отключают весь блок, если детектируют в них одну повреждённую ячейку. Типичный размер блоков у MLC памяти 2–4 Мбайт. Увеличение размеров блоков с одной стороны означает увеличение скорости случайной записи, но с другой — требует использования специальных NAND-контроллеров, которые «знают», как оптимально работать с большими блоками и сводить к минимуму количество циклов перезаписи/стирания. Косвенно увеличенный размер блока свидетельствует о том, что 3D NAND-память более износоустойчива, чем доступная сегодня 2D NAND-память, что логично, учитывая, что первая производится по технологическому процессу с шириной транзисторного затвора в 30–40 нм.
Согласно документу SK Hynix для партнёров, семейство 3D NAND второго поколения будет включать в себя пять микросхем разной компоновки и ёмкости. Так, в упаковке SK Hynix 3D NAND может содержаться одна, две, четыре, восемь или шестнадцать 128-Гбит микросхем.
Устройства памяти 3D NAND компании SK Hynix будут поставляться в FBGA форм-факторе со 152 контактами и не будут совместимы с обычной памятью MLC, которая поставляется в FBGA со 132 контактами. Новые чипы памяти будут использовать toggle 2.0 DDR интерфейс с максимальной скоростью передачи данных в 400 Мбит/с.
Согласно документу SK Hynix для партнёров, семейство 3D NAND второго поколения будет включать в себя пять микросхем разной компоновки и ёмкости. Так, в упаковке SK Hynix 3D NAND может содержаться одна, две, четыре, восемь или шестнадцать 128-Гбит микросхем.
Устройства памяти 3D NAND компании SK Hynix будут поставляться в FBGA форм-факторе со 152 контактами и не будут совместимы с обычной памятью MLC, которая поставляется в FBGA со 132 контактами. Новые чипы памяти будут использовать toggle 2.0 DDR интерфейс с максимальной скоростью передачи данных в 400 Мбит/с.
Параллельно с выводом на рынок 3D NAND второго поколения, в четвёртом квартале этого года SK Hynix начнёт поставлять образцы 48-слойных «трёхмерных» микросхем памяти с TLC ячейками ёмкостью 256 Гбит. Последняя выйдет на рынок в следующем году.
Источник: SK Hynix